


Библиографическое описание документа: | Гузатов, Дмитрий Викторович Влияние слоистых наноструктур на ширину линии запрещенных Е2-переходов / Д. В. Гузатов, В. В. Климов // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47. – № 8. – С. 730–738.
|
|
Общее количество экземпляров: | 1 |
Количество экземпляров | Места хранения | Адреса мест хранения | |
1 | ЭИР. Труды преподавателей ГрГУ | www.elib.grsu.by |